Chip flash de 64 Gbiţi realizat în tehnologia de 30 nanometri

Samsung a anunţat crearea primului chip de memorie flash NAND de 64 Gb (atenţie, 64Gb nu GB) utilizând tehnologia de 30 de nanometri. Vestea este cu atât mai importantă cu cât noua tehnologie de 30 nm permite utilizarea dispozitivelor litografice standard în crearea chip-urilor (tehnologia litografică se referă la realizarea circuitelor integrate în tehnologie submicronică.).

Un maxim de 16 astfel de chipuri de 64Gb se pot combina formând un dispozitiv capabil să stocheze 128GB.

Chip-urile de memorie flash NAND sunt utilizate de marii producători în crearea viitoarei generaţii de hard-disk-uri, denumite SSD, dispozitive ce diferă de actualele hard-disk-uri cu platane. SSD prezintă o serie de avantaje în faţa hardurilor clasice: timp de pornire mai rapid, viteză de citire mai mare, zgomot redus, greutate scăzută.

Noul modul flash a fost dezvoltat graţie unui proces de fabricaţie inovator, denumit SaDPT, proces care presupune utilizarea a două şabloane complementare în crearea topologiei circuitului. SaDPT reprezintă recompensa cercetătorilor de la Samsung în dezvoltarea tehnologiilor flash NAND, alături de CTF – tehnologie prezentată de coreeni în 2006 şi care presupune utilizarea unui nou material (nitrura de siliciu N₄Si₃) şi o nouă configuraţie a memoriei flash. Se aşteaptă ca ambele tehnologii dezvoltate de Samsung să aducă reduceri ale costurilor de fabricaţie pentru chip-urile flash în tehnologie submicronică. SaDPT accentuează rolul pe care îl vor juca tehnicile litografice actuale în procesul de producţie a chip-urilor flash, eliminând costurile legate de implementarea unor noi tehnici şi dispozitive de producţie.

Samsung preconizează să înceapă producerea dispozitivelor flash de 64 Gb de 30 nm la începutul anului 2009. Se estimează ca încasările globale de pe urma vânzării chip-urilor şi a hard-disk-urilor aferente să atingă valoarea de 20 miliarde dolari în numai 3 ani.

Sursa: Samsung

Autor: Marius Cristian Ureche