O tehnologie inovatoare de la IBM: racetrack memory

Cercetătorii de la IBM au prezentat rezultate preliminare ale unei tehnologii care ar putea revoluţiona industria memoriilor electronice. Mult mai durabilă şi mai fiabilă decât memoriile existente, cu un consum mai redus şi capacitate de stocare de sute de ori mai mare la aceleaşi dimensiuni, racetrack memory ar putea să devină tehnologia de bază folosită de marii producători mondiali.

Noua tehnologie IBM încearcă să extragă calităţile tehnologiilor actuale: pe de o parte există hard disk-ul tradiţional (cost redus, dar viteză de scriere şi de citire mică), pe de altă parte există memoria flash (viteză mare de citire, fiabilitate crescută, consum redus, dar viteză mai mică de scriere, cost mare). „Racetrack memory” este rezultatul a 20 de ani de cercetare în centrele IBM. Principiul de funcţionare este următorul: pe o pastilă de siliciu se depun pe orizontală „trasee” de material magnetic (aşa-numitele „racetracks”) a căror grosime este de ordinul nanometrilor. Pe aceste trasee se formează regiuni cu polaritate magnetică diferită. Se delimitează zone de dimensiuni egale pe aceste trasee, în interiorul zonei polaritatea este unică. O astfel de zonă reprezintă practic un bit.

Citirea şi scrierea unei astfel de memorii se realizează de sute de ori mai rapid decât în cazul oricărei alte memorii existente pe piaţă. Se aplică la unul din capetele „traseului” un curent electric cu intensitate foarte mică. Acesta va produce o deplasare a şablonului de polarizare magnetică. Obţinem astfel un registru de deplasare la scară nanometrică în care biţii curg într-o direcţie sau alta, în funcţie de capătul la care se aplică curentul electric. Astfel, scrierea şi citirea memoriei se realizează cu viteză foarte mare şi constantă.

În continuare, cercetatorii de la IBM aprofundează studiul interacţiunii dintre curentul de spin polarizat şi momentul magnetic care dă polarizarea magnetică a fiecărei zone ce stochează un bit. Domeniul este de interes şi pentru viitoarea memorie MRAM (Magnetic RAM) care utilizează un MTJ (Magnetic Tunnel Junction) pentru memorarea fiecărui bit.

Sursa: IBM

Autor: Marius Cristian Ureche