TOSHIBA pune bazele tehnologiei Flash NAND de 10 nm

Părintele memoriei Flash NAND, Toshiba, duce o activitate colosală pe această direcţie. Dovadă stau ultimele comunicate de presă ale companiei. După prezentarea noilor tipuri de hard-discuri SSD care urmează să fie produse de către japonezi, Toshiba a prezentat o nouă tehnologie inovatoare pentru realizarea memoriilor Flash NAND în tehnologia de 10 nm.

Denumită SONOS, noua tehnologie presupune în fapt utilizarea unui strat foarte subţire de nanocristale de siliciu (având grosimea de 1.2 nm) care stocheaza informaţia între două straturi de oxid de siliciu (fiecare de grosime 1 nm). Astfel, se obţine o celulă elementară de memorie lată de doar 10 nm. Densitatea memoriei va fi substanţial îmbunătăţită, aceasta însemnând că pe aceeaşi suprafaţă poate fi stocată o cantitate mai mare de date faţă de tehnologiile anterioare. Viteza de scriere şi de citire a crescut simţitor în testele de laborator desfăşurate până în prezent. S-a încercat utilizarea unor elemente chimice de o puritate cât mai mare, astfel că s-au obţinut capacităţi de stocare de 100 Gb (aproximativ 12.5 Gbytes) pe un chip cu un singur strat de celule de memorie.

Noua tehnologie va fi folosită pe scară largă abia în câţiva ani întrucât trebuie puse la punct noi procese tehnologice (în special noi tehnici litografice de depunere a straturilor pe structura de tip sandwich). Până atunci se vor folosi tehnologiile actuale de 65nm, 50 nm, 45nm, respectiv 32 nm.

Tehnologia de 10 nm înseamnă atingerea unui punct extrem din perspectiva densităţii celulelor de memorie. Se pare că sub această dimensiune, tehnologia Flash NAND cu grila flotantă nu mai poate fi folosită. Vor trece însă suficienţi ani de acum încolo până când memoria Flash NAND va fi scoasă din producţie...

Sursa: Toshiba

Autor: Marius Cristian Ureche