Un nou concept de tranzistor entuziasmează lumea IT&C

O echipa de cercetătorii japonezi de la cele mai prestigioase universităţi tehnice ale ţării au prezentat modelul şi câteva simulării destul de convingătoare ale unui nou model de tranzistor. Aceştia speră ca noua componentă să depaşească pragul de 10 GHz în procesoarele viitoare.

Echipa condusă de Fujio Masuoka este foarte încrezătoare în potenţialul noului tranzistor, atât în utilizarea lui la fabricarea procesoarelor, cât mai ales în crearea memoriilor Flash de mare capacitate.

Noul model de tranzistor aduce un element de noutate în structura sa : dacă la modelul tradiţional de tranzistor MOSFET, grila (gate), drena (drain) şi sursa (source) se aflau în poziţie orizontală faţă de substratul de siliciu, la noul concept, cele trei terminale (grila, drena, sursa) sunt poziţionate în plan vertical faţă de substrat. De aici şi denumirea de Stacked Gate Transistor (SGT). Această suprapunere a terminalelor în raport cu substratul de siliciu, deşi greu de implementat tehnologic, aduce avantaje nete. În primul rând creşte densitatea de stocare a memoriilor Flash (pe acelaşi substrat de siliciu se pot implementa mai multe tranzistoare, deci mai multe celule de memorie). În al doilea rând, creşte raportul de cuplaj capacitiv (capacitive-coupling ratio) al celulei de memorie, rezultând performanţe mai bune.

O singură întrebare merită rostită : va reuşi oare acest model de tranzistor să stopeze atitudinea aproape generală de dezvoltare exclusivă a procesoarelor multi-nucleu ?

Sursa : ArsTechnica

Autor : Marius Cristian Ureche